Ein Kristall, zwei Dotierungen
AFB I–IIEin Siliziumkristall ist links mit Bor und rechts mit Phosphor dotiert; beide Bereiche sind für sich nach außen neutral. An der Grenze bildet sich eine Sperrschicht der Breite \(d = 1{,}0\ \mathrm{\mu m}\), über der die Diffusionsspannung \(U_\mathrm{D} = 0{,}70\ \mathrm{V}\) liegt.
- Beschreiben Sie geordnet, wie die Sperrschicht am pn-Übergang entsteht.
- Berechnen Sie die elektrische Feldstärke in der Sperrschicht mit \(E=\dfrac{U}{d}\).
Hinweise
Hinweis zu Aufgabe a)
Hinweis zu Aufgabe b)
Erwartungshorizont
Erwartungshorizont zu Aufgabe a)
Auf der n-Seite gibt es viele freie Elektronen, auf der p-Seite viele Löcher. Durch Diffusion wandern Elektronen in das p-Gebiet und rekombinieren dort mit Löchern; beide Ladungsträger verschwinden. Zurück bleiben ortsfeste geladene Atomrümpfe — auf der n-Seite positiv, auf der p-Seite negativ. Zwischen ihnen entsteht ein elektrisches Feld, das der Diffusion entgegenwirkt und sie schließlich stoppt. Der ladungsträgerarme Streifen dazwischen ist die Sperrschicht.
Erwartungshorizont zu Aufgabe b)
\(E=\dfrac{0{,}70\ \mathrm{V}}{1{,}0\cdot 10^{-6}\ \mathrm{m}} = 7{,}0\cdot 10^{5}\ \mathrm{\tfrac{V}{m}}\). In der Sperrschicht herrscht also ein Feld von 700 000 Volt je Meter — und das, obwohl die Spannung nur 0,70 V beträgt. Der Grund ist die winzige Breite.
Eine Behauptung im Physikraum
AFB II–IIIDerselbe Übergang (\(U_\mathrm{D}=0{,}70\ \mathrm{V}\), Sperrschichtbreite \(1{,}0\ \mathrm{\mu m}\)) sitzt in einem \(0{,}50\ \mathrm{mm}\) langen Kristall. Nacheinander werden angelegt: \(0{,}30\ \mathrm{V}\) mit dem Pluspol am p-Gebiet, danach \(2{,}0\ \mathrm{V}\) mit dem Pluspol am n-Gebiet. Ein Mitschüler sagt: „Die Sperrschicht sperrt immer — sonst hieße sie nicht so.“
- Erklären Sie für beide Polungen, wie sich die Sperrschicht verändert.
- Schätzen Sie ab, welchen Anteil der Kristalllänge die Sperrschicht einnimmt.
- Beurteilen Sie die Behauptung des Mitschülers.
Hinweise
Hinweis zu Aufgabe a)
Hinweis zu Aufgabe b)
Hinweis zu Aufgabe c)
Erwartungshorizont
Erwartungshorizont zu Aufgabe a)
Pluspol am p-Gebiet (0,30 V, Durchlassrichtung): Löcher und Elektronen werden zur Grenze geschoben, die Sperrschicht wird schmaler; gegen die Diffusion wirken nur noch 0,70 V − 0,30 V = 0,40 V. Pluspol am n-Gebiet (2,0 V, Sperrrichtung): Die beweglichen Ladungsträger werden von der Grenze weggezogen, die Sperrschicht wird breiter, und die Gegenspannung steigt auf 0,70 V + 2,0 V = 2,70 V.
Erwartungshorizont zu Aufgabe b)
\(1{,}0\ \mathrm{\mu m} = 0{,}0010\ \mathrm{mm}\), also \(\dfrac{0{,}0010\ \mathrm{mm}}{0{,}50\ \mathrm{mm}} = 0{,}0020 = 0{,}20\ \%\). Die Sperrschicht nimmt nur etwa zwei Tausendstel der Kristalllänge ein — und bestimmt trotzdem das gesamte Verhalten des Bauteils.
Erwartungshorizont zu Aufgabe c)
Die Behauptung stimmt nur zur Hälfte. Richtig ist: Ohne äußere Spannung und in Sperrrichtung fließt kein Strom. Falsch ist das Wort „immer“: In Durchlassrichtung wird die Sperrschicht so schmal, dass ab etwa 0,7 V Ladungsträger hindurchströmen — dann leitet der Übergang gut. Der Name beschreibt also den Normalzustand, keine unveränderliche Eigenschaft. Vollständig ist die Antwort, wenn beide Polungen genannt und die Rolle der äußeren Spannung begründet wird.
